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型号 IPA057N06N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31
IPA057N06N3 G PDF
代理商 IPA057N06N3 G
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 60A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 5.7 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 58µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 82nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 6600pF @ 30V
功率 - 最大 38W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 PG-TO220-3-31 整包
包装 管件
其它名称 IPA057N06N3GXKSA1
SP000457582
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